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GaN HEMT制造工艺

具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。

GaN-HEMT结构中的Gate形成

GaN HEMT 中的Gate结构有多种模式，但都要求非常浅的加工。

面向GaN HEMT构造的成膜/加工技术

低损伤刻蚀对于仅去除SiN非常重要。可以执行 SiN 刻蚀，同时执行终点检测并保持蚀刻速度