ULVAC-爱发科

面向SiC功率器件的离子注入工艺介绍

提供高能量注入、高温和低温的分步注入工艺。此外，还可以提供Carbon-Cap技术，以防止在活化退火过程中由于Si蒸发而导致的基板粗糙。

兼顾高浓度·低浓度注入

SiC在进行高浓度注入时会发生晶体缺陷，退火也不会恢复，因此需要在高温下处理。另一方面，众所周知，在低浓度注入中，常温注入具有更好的特性。

SiC的热扩散

由于SiC难以热扩散，因此需要更高的能量才能更深入地注入。

高温工艺引起的表面粗糙

由于 SiC 的活化温度在 1600 至 1800°C 之间，Si脱落引起表面粗糙的问题。

高温、常温注入工艺

搭载可瞬间切换高温600℃和常温注入的Dual Platen，实现高产能
高温处理通过ULVAC独有的基板升温方式实现高温下的工艺稳定性和搬送可靠性

在高浓度注入的情况下，即使进行退火，晶体也不会恢复。

在低浓度注入情况下，即使在室温下也维持结晶。

高能量注入

覆盖10kV~1.2MeV的能量、支持广泛的工艺范围。

SiC特有的高温工艺

离子注入、Carbon-Cap、退火工艺，爱发科可以提供全面工艺解决方案。

（离子注入＋CAP（各温度下退火处理后的表面状态）