ULVAC
Think Beyond Vacuum
可以稳定形成世界最高水平的PZT溅射膜。(MEMS on CMOS成膜对应:PZT成膜温度 <500℃)
搭载多腔室,可以实现PZT full stack(上下电极+PZT)一致成膜。
MEMS on CMOS制作时,需要500℃以下的低温工艺,但是要使PZT结晶化,需要通过溅射的方法必须要达到600℃
活用Buffer Layer、在 500°C以下实现 PZT 结晶
在500℃以下的低温工艺中,兼具优秀的压电性能和高可靠性
由于是cluster式溅射设备,因此在同一设备中可对各膜层结构进行成膜
Specification of ULVAC PZT supttering