ULVAC

Think Beyond Vacuum

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Think Beyond Vacuum

面向压电MEMS的PZT溅射工艺

可以稳定形成世界最高水平的PZT溅射膜。(MEMS on CMOS成膜对应:PZT成膜温度 <500℃)

搭载多腔室,可以实现PZT full stack(上下电极+PZT)一致成膜。

 

Challenge

・500℃以下低温工艺

MEMS on CMOS制作时,需要500℃以下的低温工艺,但是要使PZT结晶化,需要通过溅射的方法必须要达到600℃

・高压电性能和高可靠性并存

・面向量产化的高产能和高再现性

解決方案

・Buffer Layer的活用

活用Buffer Layer、在 500°C以下实现 PZT 结晶

・面向PZT溅射的硬件

在500℃以下的低温工艺中,兼具优秀的压电性能和高可靠性

・在同一设备中实现 PZT 配置

由于是cluster式溅射设备,因此在同一设备中可对各膜层结构进行成膜

 

Specification of ULVAC PZT supttering