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Think Beyond Vacuum
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GaN沟槽刻蚀
沟槽结构可实现功率器件的小型化和低电阻，我们提供实现沟槽结构的干法刻蚀技术。
Challenge
沟槽形状的控制
为了防止电解集中到底面角部而导致器件破坏，将底部加工成圆形形状
对沟槽侧壁的损坏
表面有损坏的话会影响器件性能
解决方案
实现平滑的侧壁和圆形底部
优化刻蚀条件以控制沟槽形状
除去Damage Layer
通过超低速刻蚀和低温退火去除制作沟槽形成的Damage Layer
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