ULVAC
Think Beyond Vacuum
近年来MEMS器件技术不断进化,成为各种传感器、执行器不可或缺的存在。其中压电材料的使用能够为MEMS的小型化、高性能化做出贡献,因而备受期待。我们以在压电材料中具有优秀压电特性的PZT为例,介绍压电MEMS的制造工艺和必要的技术。
1. 压电元件的形成通过用贵金属电极夹持数μm的铁电体,形成压电元件。ULVAC 提供的溅射设备可稳定 沉积世界最高水平的 PZT 溅射膜。(CMOS上成膜对应:PZT成膜温度 <500°C) 搭载多腔室,可成膜PZT full stack(上下电极+PZT)。 Multi-chamber型溅射设备介绍
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2. 上部电极Pt/PZT刻蚀涂布resist mask。 通过干法刻蚀,刻蚀上部电极和PZT,进行元件分离。 提供与作为下部电极的Pt具有高选择性的Pt/PZT刻蚀工艺。 (选择比例:PZT/Pt>5@8inch, >10@6inch)
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3. 下部电极Pt刻蚀涂布resist mask。 通过干法刻蚀将下部电极元件分离。 由于底部电极下的材料没有过度削减, 所以实现了高均匀性和精密的端点检测。(分布<3%@8inch)
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4. 保护膜形成通过CVD形成SiO2的保护膜。
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5. 引出电极蚀刻SiO2以引出电极部分。
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6. 中空形状形成背面的硅干法刻蚀,形成可动部分。
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