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TC-SAW器件制造工艺

SAW器件是一种滤波器，其结构是通过在衬底上形成的压电材料薄膜或规则的梳状电极激发表面声波。

金属（Al, Mo, W)溅射、基板使用有压电性的LT、LN。另外，这个电极的膜厚分布也很重要。

SAW是声表面波的简称，其频率由IDT（梳状）电极的Pitch决定，它由光刻和加工定义。

在形成电极图案时，传统技术是lift off法，但电极之间小于1μm的微细工艺需要干法蚀刻方法。

（频率和IDT Pitch的关系大约为0.8GHz时为1um宽度，2.5GHz时为0.4um宽度，5.0GHz时为0.18um宽度）

膜质为Al、Cu，实现长距离TS，可以改善膜厚分布。

通过Ashing除去lift off后的残渣。

通过溅射，成SiO2膜。

进行SiO2的Half Etching。

用Ion milling进行Trimming。

通过lift off 进行金属蒸镀和resist剥离。

通过溅射，SiN成膜。

进行SiN的Half Etching。

用Ion milling进行Trimming。

进行SiN的刻蚀。